LED燈珠芯片保護(hù)層

今天，一些芯片制造商的芯片側(cè)面有二氧化硅。內(nèi)置IC燈珠由于LED芯片在劃片后依然排列緊密間距很小(約0.1mm),不利于后工序的操作。我們采用擴(kuò)片機(jī)對(duì)黏結(jié)芯片的膜進(jìn)行擴(kuò)張,是LED芯片的間距拉伸到約0.6mm。也可以采用手工擴(kuò)張,但很容易造成芯片掉落浪費(fèi)等不良問(wèn)題。RGB燈珠普通的燈珠只有1顆芯片，這個(gè)用肉眼都很容易分辨的，所有相對(duì)別的燈珠來(lái)說(shuō)，普通燈珠的成本相對(duì)來(lái)說(shuō)要低調(diào)很多。3838燈珠和點(diǎn)膠相反,備膠是用備膠機(jī)先把銀膠涂在LED背面電極上,然后把背部帶銀膠的LED安裝在LED支架上。備膠的效率遠(yuǎn)高于點(diǎn)膠,但不是所有產(chǎn)品均適用備膠工藝。然而，即使 pn 結(jié)端面上有二氧化硅層，二氧化硅中也可能因?yàn)橹圃煸虼嬖诳梢苿?dòng)離子。在包裝廠的不潔環(huán)境中，也受到污染。因此，沒(méi)有良好的二氧化硅生產(chǎn)工藝，沒(méi)有達(dá)到清潔包裝廠的水平，導(dǎo)致植物生長(zhǎng)燈包裝后的泄漏率仍然很高。

二氧化硅層中的可移動(dòng)進(jìn)行離子移動(dòng)到半導(dǎo)體復(fù)合材料以及表面，可能使P型材料具有表面可以產(chǎn)生耗盡層，嚴(yán)重的發(fā)生反型，從而導(dǎo)致發(fā)生漏電。

在常見(jiàn)的硅半導(dǎo)體器件制造中，為了解決二氧化硅的問(wèn)題，通常在芯片功能制造后加入鈍化層。 氮化硅是今天常用的。 這將大大提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和可靠性。 這些都不是本文的內(nèi)容，提到這只是提醒一下，在LED中，雖然有一個(gè)二氧化硅維護(hù)層，但后來(lái)不注意清潔，會(huì)出現(xiàn)泄漏問(wèn)題。

關(guān)于中國(guó)二氧化硅中含可移動(dòng)離子及沾污對(duì)漏電的更具體的分析，讀者自己能夠提供參考文獻(xiàn)有關(guān)半導(dǎo)體的資料，如半導(dǎo)體物理、晶體管工作原理、半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)制造技術(shù)工藝等書(shū)籍。

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